ラミネートブスバー(大電流回路基板)

特徴

ラミネートブスバー製品

IGBTやIPM等の電力用半導体素子を用いたパワー回路において、高速スイッチング時における異常電圧を抑制し、高速動作をさせるための特性改善を狙った基板がラミネートブスバーです。
絶縁フィルムシートと金属導体とを積層ラミネートすることによって、

  1. 導体間インダクタンス低減による高速スイッチング化
  2. 部品点数削減による配線の合理化と組立作業時間の短縮
  3. 組立スペースの縮小化
  4. 電気接続部の高信頼性
  5. 高い部分放電開始電圧レベル

を実現しました。
また一般的な銅導体に代えて、アルミ導体を使った軽量ラミネートブスバーも実用化しました。

製品名

ラミネートブスバー(大電流回路基板)

構造

2層基板例 電気的な接続部は端子カラーにて各層より取り出すことが出来ます。

2層基板例の図

標準設計時の電気的特性

  銅導体ブスバー アルミ導体ブスバー
定格電圧 DC2800V 以下 DC900V以下
電流 1750A以下 400A以下
耐圧 AC8400V以下60Hz 1min間 AC4100V以下
絶縁抵抗 100MΩ以上(DC1000Vメガ)
部分放電開始電圧 AC800V(30pC)以上
(2層基板標準絶縁構成時)
AC780V(10pC)以上
(2層基板標準絶縁構成時)
導体仕様 導体 JIS H3100 タフピッチ銅
標準厚み t=1.0、1.5、2.0、3.0 mm
JIS H4000 純アルミ
標準厚み t=1.0、3.0 mm
接続端子 銀ロウ付け端子カラーなど カシメ端子カラーなど
表面処理 Snメッキ標準、Niメッキも対応可能 Niメッキ標準
絶縁フィルム PETフィルム複合基材、ノーメックスシート
(要求電気特性によって最適絶縁構成にいたします)
使用環境 使用温度範囲 : -40〜85℃

基本仕様につき、製品仕様・構造等によってご相談に応じます。

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