IGBTやIPM等の電力用半導体素子を用いたパワー回路において、高速スイッチング時における異常電圧を抑制し、高速動作をさせるための特性改善を狙った基板がラミネートブスバーです。
絶縁フィルムシートと金属導体とを積層ラミネートすることによって、

1. 導体間インダクタンス低減による高速スイッチング化
2. 部品点数削減による配線の合理化と組立作業時間の短縮
3. 組立スペースの縮小化
4. 電気接続部の高信頼性
5. 高い部分放電開始電圧レベル

を実現しました。
また一般的な銅導体に代えて、アルミ導体を使った軽量ラミネートブスバーも実用化しました。