大電流回路基板
2008年11月17日付記
インバータ回路の直流電力供給において、プラス回路基板とマイナス回路基板を絶縁シートで挟んで接着したラミネートブスバーを使うと、直流電力供給回路基板のインダクタンスが小さくなり、そこに蓄えられる磁気エネルギーが減少することで、パワー半導体素子のスイッチング時に発生する異常高電圧が抑制されます。同時に、不要電磁波(EMI:ElectromagneticInterference)も抑制されます。
異常高電圧が抑制されることで、パワー半導体素子の保護回路を省略あるいは簡素化ができます。さらに、不要電磁波の遮蔽をし易くなります。その結果、インバーターの低コスト化、コンパクト化が可能になります。
ラミネートブスバーのインダクタンス、電気特性の例(参考値)
ラミネートブスバー | |||
大型 | 小型 | ||
項目 | 定格電圧(V) | 1500 | 200 |
---|---|---|---|
定格電流(A) | 600 | 250 | |
耐電圧(kV) | 5 | 2 | |
インダクタンス(nH) | 50〜80 | 10〜20 |